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抗辐射512K×32bit SRAM YK8CR512K32A
发布时间: 2020/10/16 11:11:02 | 373 次阅读
YK8CR512K32A是一款低功耗、异步、抗辐射512K×32bit静态随机存储器,采用双电源供电。它采用标准CMOS工艺制造,由片选信号、读/写使能信号及输出使能信号控制读/写操作。其它情况,I/O端口均为高阻态。
主要特点
◎ 兼容型号:Aeroflex公司UT8CR512K32
◎ 存储容量:512K×32bit
◎ 工作电压:I/O:3.0V~3.6V
内核:1.7V~1.9V
◎ 读写时间:19ns
◎ 三态双向数据总线
◎ 抗辐射指标: 总剂量:100K Rad(Si)
单粒子闩锁阈值:75MeV·cm2/mg
单粒子翻转错误率≤1×10-10错误/位·天
◎ ESD等级:2000V
◎ 封装形式:CQFP68
◎ 外形尺寸:37.4mm×31.8mm(标准成型尺寸)
产品型号 |
类型 |
容量 (bit) |
读取时间 (ns) |
工作电压 (V) |
输入电平 |
封装形式 |
兼容型号 |
YK8CR512K32A |
SRAM |
512K×32 |
19 |
内核:1.8 I/O:3.3 |
CMOS |
CQFP68 |
UT8CR512K32 |