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抗辐射512K×32bit SRAM YK8CR512K32A

发布时间: 2020/10/16 11:11:02 | 299 次阅读

YK8CR512K32A是一款低功耗、异步、抗辐射512K×32bit静态随机存储器,采用双电源供电。它采用标准CMOS工艺制造,由片选信号、读/写使能信号及输出使能信号控制读/写操作。其它情况,I/O端口均为高阻态。

主要特点


◎ 兼容型号Aeroflex公司UT8CR512K32

◎ 存储容量512K×32bit

◎ 工作电压I/O3.0V3.6V

内核1.7V1.9V

◎ 读写时间19ns

◎ 三态双向数据总线

◎ 抗辐射指标: 总剂量100K RadSi

单粒子闩锁阈值75MeV·cm2/mg

单粒子翻转错误率≤1×10-10错误/·

◎ ESD等级2000V

◎ 封装形式CQFP68

◎ 外形尺寸37.4mm×31.8mm标准成型尺寸

产品型号

类型

容量

bit

读取时间

ns

工作电压

V

输入电平

封装形式

兼容型号

YK8CR512K32A

SRAM

512K×32

19

内核1.8 I/O3.3

CMOS

CQFP68

UT8CR512K32